BJT和FET的区别

晶体管可以根据其结构进行分类，其中两个比较常见的晶体管结构是BJT和FET。

BJT即双极结晶体管，是第一个被商业化大规模生产的种类。BJT使用少数和多数载流子进行传导，它的三个终端有相应的名称’”基极、发射极和集电极。它基本上由两个P-N结组成—基极-集电极结和基极-发射极结。一种称为基区的材料，是一种薄的中间半导体，将这两个结分开。

双极结晶体管在放大装置中具有广泛的用途，因为集电极和发射极电流被基极的小电流有效控制。它们之所以被命名为双极晶体管，是因为被控制的电流要经过两种半导体材料’”P”和 “N”。电流基本上由空穴和电子流组成，在双极晶体管的不同部分。

双极晶体管基本上是作为电流的调节器发挥作用。一个小电流在调节一个大电流。然而，要使它们作为电流调节器正常工作，基极电流和集电极电流必须在正确的方向上移动。

FET即场效应晶体管，也控制两点之间的电流，但它使用的方法与BJT不同。顾名思义，FET的功能取决于电场的影响，以及电子在特定类型的半导体材料过程中的流动或移动。基于这一事实，场效应管有时被称为单极晶体管。

FET使用空穴(P沟道)或电子(N沟道)进行传导，它有三个终端—源极、漏极和栅极—在大多数情况下，主体连接到源极。在许多应用中，场效应管基本上是一个电压控制的设备，这是因为它的输出属性是由取决于所施加的电压的场来确定的。