PVD和CVD的区别

PVD(物理气相沉积)和CVD(化学气相沉积)是两种技术，用于在基材中形成非常薄的材料层；通常称为薄膜。它们主要用于半导体的生产，其中非常薄的n型和p型材料层产生必要的结。PVD 和 CVD 之间的主要区别在于它们采用的工艺。从名称中推断出的那样，PVD 仅使用物理力来沉积层，而 CVD 使用化学过程。

在PVD中，纯源材料通过蒸发，高功率电力的应用，激光烧蚀和其他一些技术进行气化。气化材料将在基材上凝结以形成所需的层。整个过程没有发生化学反应。

在CVD中，源材料实际上并不纯净，因为它与充当载体的挥发性前体混合。将混合物注入包含底物的腔室中，然后沉积到其中。当混合物已经粘附在基材上时，前驱体最终分解并在基材中留下所需的源材料层。然后通过气流将副产物从腔室中除去。分解过程可以通过使用热、等离子体或其他过程来辅助或加速。

无论是通过CVD还是PVD，最终结果基本相同，因为它们都根据所需的厚度创建非常薄的材料层。CVD和PVD是非常广泛的技术，其下有许多更具体的技术。实际过程可能不同，但目标是相同的。由于成本、易用性和各种其他原因，某些技术在某些应用程序中可能比其他技术更好；因此，它们在该领域是首选。