晶体管BJT和MOSFET对放大和开关应用都很有用。然而,它们具有明显不同的特性。

BJT,即双极结晶体管,是一种取代过去的真空管的半导体器件。这种装置是一种电流控制的设备,集电极或发射器的输出是基极电流的函数。基本上,BJT晶体管的工作模式是由基极的电流驱动。BJT晶体管的三个终端被称为发射器、集电极和基极。

一个BJT实际上是一块有三个区域的硅片。其中有两个结,每个区域都有不同的名称 “P和N”。有两种类型的BJT,NPN晶体管和PNP晶体管。这两种类型在其电荷载体上有所不同,其中,NPN的主要载体是空穴,而PNP的主要载体是电子。

PNP和NPN这两种BJT晶体管的工作原理实际上是相同的;唯一的区别是偏置,以及每种类型的电源的极性。在低电流应用中,许多人更喜欢使用BJT,例如用于开关目的,仅仅是因为它们更便宜。

金属氧化物半导体场效应晶体管,或简称MOSFET,有时也是MOS晶体管,是一种电压控制的设备。与BJT不同,没有基极电流存在。然而,有一个由栅极上的电压产生的场。这允许源极和漏极之间有电流流动。这种电流流可以被栅极上的电压切断,或打开。

在这种晶体管中,在氧化物绝缘的栅极上的电压可以在其他触点 “源极和漏极 “之间产生一个传导通道。MOSFET的伟大之处在于它们能更有效地处理功率。如今,MOSFET是数字和模拟电路中最常用的晶体管,取代了当时非常流行的BJT。

BJT和MOSFET的区别

  1. BJT是一种双极结晶体管,而MOSFET是一种金属氧化物半导体场效应晶体管。
  2. BJT有发射器、集电极和基极,而MOSFET有栅极、源极和漏极。
  3. BJT是低电流应用的首选,而MOSFET则用于高功率功能。
  4. 在数字和模拟电路中,MOSFET被认为比现在的BJT更常用。
  5. MOSFET的工作取决于氧化物绝缘栅电极的电压,而BJT的工作则取决于基极的电流。

BJT和MOSFET的区别

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